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全新原装NCD57252DWR2G正品/ISOLATED DUAL- IGBT/MOSFE


全新ISC046N04NM5ATMA1原装(40V 4.6M OPTIMOS MOSFE


NCD57252DWR2G原装「ISOLATED DUAL- IGBT/MOSFE」正品


原厂原装CSD86350Q5DT 25V POWERBLOCK N CH MOSFE


原厂原装BSS123 N- ENHANCEMENT MODE MOSFE全新正品


正品SIR510DP-T1-RE3原装N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFE


正品SIR570DP-T1-RE3原装N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFE


正品SIZF914DT-T1-GE3原装DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFE


正品SIR516DP-T1-RE3原装N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFE


正品SIR514DP-T1-RE3原装N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFE


正品SCTWA60N120G2-4原装SILICON CARBIDE POWER MOSFE


正品RQ3P300BHTB1原装NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE


原厂正品AIMW120R060M1HXKSA1全新1200V COOLSIC MOSFE


原厂正品AIMW120R035M1HXKSA1全新1200V COOLSIC MOSFE


原厂正品IMW65R083M1HXKSA1全新SILICON CARBIDE MOSFE


正品SIS178LDN-T1-GE3原装N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFE


正品SIR186LDP-T1-RE3原装N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFE


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原装进口原字IPB020N10N5 020N10N5 020N10 100V176A2毫欧MOSFE


海外直订The Combined Effects of Radio Frequency and Gamma Irradiation on P-Channel Mosfe 射频和γ辐照对p沟道


原装进口 IRFR9120NTRPBF TO-252-3 P沟道 -100V/-6.6A 贴片MOSFE


场效应可直拍P18N06 NTP18N06G TO-220 18A60V N沟道功率MOSFE


SP30P13NJ 场效应管(MOSFET) PDFNWB-8L(3.3x3.3) 中低压P型MOSFE


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原装正品 BUK9M5R0-40HX LFPAK33 N沟道40V 5.0mΩ 逻辑电平MOSFE


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原装正品 PSMN1R8-30MLHX LFPAK33 n沟道 30V 150A 逻辑电平MOSFE


原装正品 PSMN7R0-100PS,127 TO-220AB n沟道 100V 标准电平MOSFE


原装正品 BUK9M42-60EX LFPAK33 N沟道60V 42mΩ 逻辑电平MOSFE


全新原装SI2333DS-T1-GE3 SI2333DS MOSFE管 贴片SOT-23 丝印E3


全新 SI2329DS-T1-GE3 R1丝印 SOT23封装 8V 6A P沟道MOSFE


CXD90011G-DB PSMN1R5-40YSDX LFPAK56 n沟道40V 240A标准级MOSFE


SIA456DJ-T1-GE3封装PowerPAK SC-70-6场效应管(MOSFE 全新现货


T/CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法


【 全新原装现货 】 CSD13380F3T 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFE

